Исследователи значительно улучшили память на основе фазового перехода
Исследователь Стивен Эллиот (Stephen Elliott) из Кэмбриджского Института (University of Cambridge) сумел существенно сделать лучше характеристики работы памяти на базе технологии фазового перехода. Отмечается, что память на базе фазового перехода является многообещающей разработкой и в дальнейшем дозволит создавать компы с моментальной загрузкой.
Этот тип памяти обеспечивает возможность хранения данных, основываясь на возможности материала переключаться меж 2-мя состояниями (кристаллическим и бесформенным) при определенном термическом воздействии, генерируемом электронным током. Для чтения данных (определения текущего состояния материала на основании анализа величины электронного) употребляется ток наименьшей величины. В качестве материала для памяти на базе фазового перехода, обычно, употребляется смесь из германия, сурьмы и теллура (Ge2Sb2Te5 либо GST). В итоге, данная память обладает высочайшей производительностью, которая в пару раз превосходит производительность современных твердотельных накопителей высочайшего уровня. При всем этом она является энергонезависимой, т.е. способна сохранять данные при выключенном энергоснабжении.
Но изменение состояния материала в итоге воздействия напряжения (процесс записи данных) просит определенного времени. Обычно, процесс кристаллизации ячейки памяти занимает более 1-10 наносекунд. Стивену Эллиоту удалось сделать лучше материал таким макаром, чтоб процесс кристаллизации сократился до 500 пикосекунд при воздействии напряжением 1 В, что, примерно, в 10 раз резвее имеющихся решений. Тем удалось повысить скорость записи данных. По заверениям разработчика, материал сохраняет стабильность даже после 10 тыс циклов записи/перезаписи данных.
Компания Micron сказала о начале массового производства памяти на базе технологии фазового перехода (PCM - Phase Change Memory). Отмечается, что ...
Группа исследователей из Института Калифорнии (University of California) показала макет устройства для хранения данных на базе твердотельной памяти, ...
Исследователи из компании IBM показали новейшую многобитную память, выполненную на базе технологии конфигурации фазового состояния вещества ...
Группа инженеров из Института Иллинойса (University of Illinois) усовершенствовали технологию конфигурации фазового состояния, используемую при ...
Компания Самсунг сказала о достижении значимого прогресса в процессе разработки технологии памяти RRAM (Resistive Random Access Memory - резистивная ...