Главная Новости Клиенты Заявка Вакансии Сертификаты Статьи Контакты
Ремонт ноутбуков
В последнее время большое распространение среди компаний и частных лиц получили ноутбуки.
Абонентское обслуживание
Как часто происходят моменты, когда из-за сбоев в...
Удаленный ремонт
Порой возникают проблемы с компьютерной или организационной техникой...

Samsung: память RRAM выдерживает в 1 млн раз больше циклов перезаписи, чем флэш-память

15.03.2014

Компания Самсунг сказала о достижении значимого прогресса в процессе разработки технологии памяти RRAM (Resistive Random Access Memory — резистивная память случайного доступа).

Samsung: память RRAM выдерживает в 1 млн раз больше циклов перезаписи, чем флэш память

Инженеры компании смогли существенно сделать лучше долговечность работы памяти RRAM. А именно, отмечается, что макет памяти RRAM способен переключаться меж циклами записи и удаления данных до триллиона раз. По данному показателю память RRAM в миллион раз затмила способности имеющейся стандартной флэш-памяти. Разработка памяти RRAM, разрабатываемая компанией Самсунг, предполагает внедрение структуры на базе тантала, а не кремния, как в обычных разработках производства памяти. Кроме значимого роста долговечности работы, новые чипы памяти RRAM соответствуют и главным требованиям, предъявляемым к флэш-памяти. Они обеспечивают высшую плотность записи инфы, высшую скорость конфигурации состояния ячеек и малый уровень энергопотребления.

Информация о сроках начала коммерческой эксплуатации памяти RRAM пока не сообщается.

Яндекс.Метрика