Главная Новости Клиенты Заявка Вакансии Сертификаты Статьи Контакты
Ремонт ноутбуков
В последнее время большое распространение среди компаний и частных лиц получили ноутбуки.
Абонентское обслуживание
Как часто происходят моменты, когда из-за сбоев в...
Удаленный ремонт
Порой возникают проблемы с компьютерной или организационной техникой...

Разработан прототип накопителя на основе принципa фазового перехода

31.03.2014

Группа исследователей из Института Калифорнии (University of California) показала макет устройства для хранения данных на базе твердотельной памяти, который основан на принципе фазового перехода. Таковой накопитель получил заглавие Moneta.

Разработан прототип накопителя на основе принципa фазового перехода

В новинке применяется память PCM (phase-change memory), которая обеспечивает возможность хранения данных, основываясь на возможности халькогенида переключаться меж 2-мя состояниями (кристаллическим и бесформенным) при определенном термическом воздействии, генерируемом электронным током. Для чтения данных (определения текущего состояни халькогенида) употребляется ток наименьшей величины. Отмечается, что память на базе фазового перехода обладает высочайшей производительностью, которая в пару раз превосходит производительность современных твердотельных накопителей высочайшего уровня.

В накопителе Moneta используются чипы памяти PCM первого поколения производства Micron. Устройство способно считывать данные на скорости до 1,1 ГБ/с, а наибольшая скорость записи данных составляет 371 МБ/с. При осуществлении операций с блоками по 512 КБ наибольшая скорость чтения составляет 327 МБ/с, наибольшая скорость записи — 91 МБ/с. При всем этом новинка обладает наименьшими задержками, чем современные твердотельные накопители. Не считая того, она потребляет меньше энергии.

Разработчики планируют сделать накопитель Moneta второго поколения на базе памяти PCM в протяжении ближайших 6-9 месяцев. Отмечается, что коммерческая эксплуатация технологии PCM может начаться в наиблежайшие годы.

Яндекс.Метрика