IBM разработала многобитную память PCM

20.03.2014

Исследователи из компании IBM показали новейшую многобитную память, выполненную на базе технологии конфигурации фазового состояния вещества (multi-bit phase-change memory). Ранее исследователям удавалось создавать только однобитную (single bit-per-cell) память PCM, которая обладала низкой емкостью, а ее создание добивалось огромных издержек. Поэтому новенькая разработка IBM обеспечит повышение емкости энергонезависимой памяти PCM и одновременное понижение цены ее производства.

Память на базе технологии конфигурации фазового состояния вещества обладает более высочайшими показателями производительности и надежности по сопоставлению с применяемой в текущее время флэш-памятью NAND. Так, память PCM способна выдерживать около 10 млн циклов записи. Напомним, современная флэш-память MLC NAND потребительского класса, выполненная по нормам 25-нанометрового технологического процесса, обладает ресурсом около 3 тыс циклов записи. В то же время тестовый чип памяти multi-bit PCM, произведенный на базе 90-нанометровой CMOS технологии, обеспечивает задержки при записи данных на уровне 10 микросекунд, что, примерно, в 100 раз превосходит характеристики современных лучших флэш-чипов памяти.

По подготовительным прогнозам разработчикам, для усовершенствования технологии памяти PCM для начала ее коммерческой эксплуатации может потребоваться еще около 5 лет.


Ремонт ноутбуков В последнее время большое распространение среди компаний и частных лиц получили ноутбуки. » подробнее...	Абонентское обслуживание Как часто происходят моменты, когда из-за сбоев в... » подробнее...	Удаленный ремонт Порой возникают проблемы с компьютерной или организационной техникой... » подробнее...