Samsung начинает производство флэш-чипов MLC NAND на базе технологии Toggle DDR 2.0
Компания Самсунг сказала, что ей первой удалось создать чипы флэш-памяти MLC (multi-level-cell) NAND на базе технологии Toggle DDR (Double Data Rate) 2.0. Данные новинки владеют емкостью 64 Гб (8 ГБ) и могут выполняться по нормам 20-нанометровых технологических процессов. Они созданы для внедрения в составе телефонов, планшетов и твердотельных накопителей.
Благодаря использованию технологии Toggle DDR 2.0 новые флэш-чипы обеспечивают скорость передачи данных на уровне 400 Мб/с, что в 10 раз превосходит способности устройств SDR (Single Data Rate) NAND (40 Мб/с) и в 3 раза — устройств Toggle DDR 1.0 (133 Мб/с). Таким макаром, выставленные чипы обеспечат значимый прирост производительности в телефонах последнего поколения и твердотельных накопителях с интерфейсом SATA3 (скорость передачи данных до 6 Гб/с).
Отмечается, что компания Самсунг уже приступила к производству флэш-чипов памяти MLC NAND на базе технологии Toggle DDR 2.0 емкостью 64 Гб, и в скором времени они появятся в составе устройств потребительской электроники.
Компания Самсунг сказала о начале массового производства флэш-чипов MLC (3-bit multi-level-cell) NAND емкостью 128 Гб. При этом, эти чипы делаются с ...
Компания Toshiba сказала о начале использования 24-нанометрового технологического процесса для производства встраиваемых чипов флэш-памяти NAND, ...
Компания Самсунг сказала о начале массового производства первых в отрасли чипов памяти LPDDR2 (low power double-data-rate 2) емкостью 4 Гб, используя ...
Главный исполнительный директор компании OCZ Technology Group заявил, что его компания будет не в состоянии произвести достаточное количество ...
Компания Самсунг сказала о начале производства первых в отрасли скоростных чипов мобильной памяти LPDDR3 (low power double data rate 3) емкостью 4 ...