Samsung начала производство чипов мобильной памяти LPDDR3 емкостью 4 Гб по технологии 20-нм класса

28.06.2013

Samsung начала производство чипов мобильной памяти LPDDR3 емкостью 4 Гб по технологии 20 нм класса

Компания Самсунг сказала о начале производства первых в отрасли скоростных чипов мобильной памяти LPDDR3 (low power double data rate 3) емкостью 4 Гб, которые делаются по нормам технологического процесса 20-нанометрового класса.

Как отмечает производитель, новые чипы памяти LPDDR3 емкостью 4 Гб обеспечивают производительность, сопоставимую со стандартной памятью DRAM, которая применяется в компьютерах. Новинка создана для внедрения в составе мобильных устройств последующего поколения (телефонах и планшетах), к которым предъявляются требования высочайшей производительности при выполнении мультимедийных задач.

Представленное устройство способно производить передачу данных со скоростью 2133 Мб/с для каждого контакта. Этот показатель более чем в 2 раза превосходит способности мобильной памяти LPDDR2 (800 Мб/с). Если же ассоциировать новинку с чипами памяти LPDDR3, сделанными по нормам технологического процесса 30-нанометрового класса, то прирост производительности составляет 30%. Совместно с тем новый чип потребляет на 20% меньше энергии. Чип имеет малогабаритные размеры. OEM производители сумеют сочетать четыре таких чипа в одной упаковке, высота которой составит 0,8 мм, а суммарная емкость — 2 ГБ.


Ремонт ноутбуков В последнее время большое распространение среди компаний и частных лиц получили ноутбуки. » подробнее...	Абонентское обслуживание Как часто происходят моменты, когда из-за сбоев в... » подробнее...	Удаленный ремонт Порой возникают проблемы с компьютерной или организационной техникой... » подробнее...