Toshiba начинает производство флэш-чипов памяти e-MMC по нормам 24-нм техпроцесса

Компания Toshiba сказала о начале использования 24-нанометрового технологического процесса для производства встраиваемых чипов флэш-памяти NAND, которые нацелены на применение в составе широкого списка устройств: планшетов, телефонов, устройств для чтения электрических книжек, цифровых камер, мультимедийных проигрывателей и принтеров.

Новенькая разработка позволяет производительность и емкость таких чипов памяти по сопоставлению с существующими решениями. Не считая того, за счет использования более узкого технологического процесса появилась возможность создавать чипы памяти высочайшей емкости, владеющие наименьшими размерами, что позволяет более правильно использовать поверхность печатной платы мобильных устройств. Отмечается, что новые устройства e-MMC toggle-mode DDR (double data rate) NAND соответствуют эталону JEDEC e-MMC Version 4.41. Toshiba хочет сделать создание чипов памяти емкостью 2, 4, 8, 16, 32, 64 и 128 ГБ. Более подробные данные о таких устройствах доступны в таблице.

Емкость

Размеры упаковки

Доступность образцов

Общее создание

2 ГБ
11,5х13,0х1,0 мм
4 квартал 2011 года
1 квартал 2012 года
4 ГБ
11,5х13,0х1,0 мм
3 квартал 2011 года
4 квартал 2011 года
8 ГБ
11,5х13,0х1,0 мм
Уже доступны
3 квартал 2011 года
16 ГБ
12,0х16,0х1,2 мм
Уже доступны
3 квартал 2011 года
32 ГБ
12,0х16,0х1,2 мм
Уже доступны
3 квартал 2011 года
64 ГБ
14,0х18,0х1,2 мм
Уже доступны
3 квартал 2011 года
128 ГБ
14,0х18,0х1,2 мм
3 квартал 2011 года
4 квартал 2011 года

Похожие записи:

Intel и Micron освоили производство флэш-чипов по нормам 20 нм техпроцесса
Компании Intel и Micron сказали, что им удалось совместными усилиями создать чип флэш-памяти MLC (multi-level cell) NAND, изготавливаемый по нормам ...

Elpida начала производство чипов памяти DDR3 по нормам 25-нанометрового технологического процесса
В согласовании с утвержденным ранее планом, компания Elpida начала общее создание чипов памяти DRAM по нормам 25-нанометрового технологического ...

Samsung начинает производство флэш-чипов MLC NAND на базе технологии Toggle DDR 2.0
Компания Самсунг сказала, что ей первой удалось создать чипы флэш-памяти MLC (multi-level-cell) NAND на базе технологии Toggle DDR (Double Data Rate) ...

Samsung начинает производство чипов памяти LPDDR2 по технологии 20-нанометрового класса
Компания Самсунг сказала о начале массового производства первых в отрасли чипов памяти LPDDR2 (low power double-data-rate 2) емкостью 4 Гб, используя ...

Toshiba анонсировала выпуск 24-нанометровых флэш-чипов SmartNAND
Стало понятно, что компания Toshiba окончила предварительный шаг и хочет в скором времени приступить к производству новых встраиваемых чипов памяти ...