IBM будет производить для Micron память Hybrid Memory Cube

09.01.2014

Как сообщалось ранее, компании Самсунг и Micron хотят вместе продвигать память DRAM HMC (Hybrid Memory Cube). Сейчас же компании IBM и Micron анонсировали начало сотрудничества по производству устройств памяти Hybrid Memory Cube на базе технологии IBM TSV (through-silicon via). Отмечается, что данная разработка производства чипов памяти дозволит обеспечить скорость работы нового типа памяти, которая на порядок превосходит способности современных аналогов.

В рамках анонсированного сотрудничества IBM будет заниматься созданием памяти Hybrid Memory Cube на собственной полупроводниковой фабрике в городке East Fishkill, штат New-york. При всем этом, создание будет осуществляться по нормам 32-нанометрового технологического процесса HKMG (High-K Metal Gate — диэлектрик с высочайшей диэлектрический константой и транзисторы с железным затвором).

Согласно имеющейся инфы, память Hybrid Memory Cube способна обеспечить скорость передачи данных на уровне 128 ГБ/с, что, примерно, в 10 раз превосходит способности наилучших современных модулей памяти. При всем этом новый вид памяти потребляет на 70% меньше энергии при передаче данных. Еще одним значимым преимуществом памяти Hybrid Memory Cube является ее малый размер, она занимает только 10% площади обычных решений хранения данных. Все обозначенные достоинства позволят существенно повысить производительность подсистемы памяти. Сначало память Hybrid Memory Cube планируется использовать в производительных серверах и промышленных компьютерных системах, но с течением времени она появится и в компьютерных системах потребительского уровня.


Ремонт ноутбуков В последнее время большое распространение среди компаний и частных лиц получили ноутбуки. » подробнее...	Абонентское обслуживание Как часто происходят моменты, когда из-за сбоев в... » подробнее...	Удаленный ремонт Порой возникают проблемы с компьютерной или организационной техникой... » подробнее...