Toshiba создала 19-нанометровый чип флэш-памяти NAND
Компания Toshiba разработала новый чип флэш-памяти NAND, который предназначен для использования в качестве встроенного хранилища данных в телефонах и планшетах.
Новинка делается по нормам 19-нанометрового технологического процесса на базе технологии MLC two-bit-per-cell. Чип имеет емкость 8 ГБ и обладает малогабаритными размерами. Четкие размеры чипа не сообщаются, но отмечается, что он является самым небольшим устройством в собственном классе. По заверениям разработчиков, благодаря использованию данного устройства можно вдвое повысить емкость хранилища мобильных устройств. Так, в одной упаковке может быть расположено до 16 чипов, таким макаром, суммарная емкость упаковки составляет 128 ГБ. Данная модель обладает поддержкой технологии Toggle DDR2.0, что обеспечивает высшую скорость передачи данных. Новый 19-нанометровый чип флэш-памяти NAND уже доступен в виде отдельных образцов и начнет поставляться для тестирования заинтересованным заказчикам в конце этого месяца. Список заказчиков не разглашается. Общее создание новинки должно быть запущено летом этого года. Ее стоимость пока не сообщается.
Также отмечается, что Toshiba хочет выпустить в рамках 19-нанометрового технологического процесса чип флэш-памяти NAND на базе технологии three-bit-per-cell, что дозволит повысить емкость устройства при постоянных размерах. Но четкие сроки релиза таковой модели пока не сообщаются.