Samsung выпустила экономичные модули памяти DDR3
Компания Самсунг сказала о выпуске новых модулей памяти эталона DDR3 DRAM (dynamic random?access memory), созданных для модернизации подсистемы памяти настольных и мобильных компов. Данные новинки отличаются высочайшей производительностью при малозначительном потреблении энергии.
Новые модули памяти Самсунг основаны на чипах, которые делаются по нормам 30-нанометрового технологического процесса. Емкость модулей может составлять 2 либо 4 ГБ. Они доступны в виде устройств VLP UDIMM (very low profile unbuffered dual in?line memory module) для настольных компов и SODIMM (small outline dual in?line memory module) для ноутбуков. Модули памяти поступят на рынок в виде отдельных устройств, также в виде двухканальных комплектов. Выставленные модели работают на частоте 1600 МГц, что на 20% больше, чем схожие устройства, основанные на чипах, сделанные по нормам 40-нанометрового технологического процесса. При всем этом уровень их энергопотребления снижен на 2/3 по сопоставлению с моделями, сделанными на базе чипов памяти, основанных на 60-нанометровом технологическом процессе.
По имеющейся инфы, новые экономные модули памяти Самсунг DDR3 выйдут на рынок на местность США летом этого года по стоимости до $30 и $55 за отдельные модули емкостью 2 и 4 ГБ, также по стоимости до $55 и $110 за комплекты емкостью 4 и 8 ГБ, соответственно. Информация о сроках начала продаж и уровне цен новинок в Украине пока не сообщается.