Samsung увеличила пропускную способность мобильной памяти в 8 раз
Компания Самсунг сказала, что ей удалось создать новый тип мобильной памяти, направленной на применение в составе телефонов и планшетов. Данная новинка обеспечивает более широкую пропускную способность памяти, чем имеющиеся решения.
Память LPDDR2 (Low Power Double Data Rate 2) RAM содержит в 16 раз больше контактов подключения чипа — с 32 контактов в стандартной памяти до 512 контактов в новейшей разработке Самсунг. В итоге, пропускная способность памяти возросла в 8 раз — с 1,6 ГБ/с до 12,8 ГБ/с. Невзирая на повышение пропускной возможности, новинка обладает низким уровнем энергопотребления. По заверениям Самсунг, потребление энергии памяти LPDDR2 на 87% ниже, чем у стандартной.
Сначало память LPDDR2 будет изготавливаться в виде чипов емкостью 1 Гб (128 МБ) по нормам 50-нанометрового технологического процесса. Четкие сроки поступления на рынок таких устройств пока не сообщаются. Но отмечается, что в 2013 году Самсунг хочет приступить к поставкам чипов памяти LPDDR2, изготавливаемых по нормам 20-нанометрового технологического процесса, владеющих емкостью 4 Гб (512 МБ).
Компания Самсунг сказала о начале производства первых в отрасли скоростных чипов мобильной памяти LPDDR3 (low power double data rate 3) емкостью 4 ...
Компания Самсунг сказала о начале массового производства первых в отрасли чипов памяти LPDDR2 (low power double-data-rate 2) емкостью 4 Гб, используя ...
В согласовании с утвержденным ранее планом, компания Elpida начала общее создание чипов памяти DRAM по нормам 25-нанометрового технологического ...
Компания Самсунг сказала о начале массового производства первой в отрасли памяти эталона LPDDR3 (low power double-data-rate 3) DRAM емкостью 2 ГБ, ...
Компания Самсунг сказала о выпуске новых модулей памяти эталона DDR3 DRAM (dynamic random?access memory), созданных для модернизации подсистемы ...