Samsung: память RRAM выдерживает в 1 млн раз больше циклов перезаписи, чем флэш-память
Компания Самсунг сказала о достижении значимого прогресса в процессе разработки технологии памяти RRAM (Resistive Random Access Memory — резистивная память случайного доступа).
Инженеры компании смогли существенно сделать лучше долговечность работы памяти RRAM. А именно, отмечается, что макет памяти RRAM способен переключаться меж циклами записи и удаления данных до триллиона раз. По данному показателю память RRAM в миллион раз затмила способности имеющейся стандартной флэш-памяти. Разработка памяти RRAM, разрабатываемая компанией Самсунг, предполагает внедрение структуры на базе тантала, а не кремния, как в обычных разработках производства памяти. Кроме значимого роста долговечности работы, новые чипы памяти RRAM соответствуют и главным требованиям, предъявляемым к флэш-памяти. Они обеспечивают высшую плотность записи инфы, высшую скорость конфигурации состояния ячеек и малый уровень энергопотребления.
Информация о сроках начала коммерческой эксплуатации памяти RRAM пока не сообщается.
Некие обладатели новых флагманских телефонов Самсунг Galaxy S4 обеспокоились неувязкой использования интегрированной флэш-памяти операционной ...
Компания SanDisk сказала о выпуске самых скоростных и высокоемких карт памяти формата SDXC в мире, также встраиваемой флэш-памяти iNAND Ultra. ...
Компания Самсунг сказала, что ей первой удалось создать чипы флэш-памяти MLC (multi-level-cell) NAND на базе технологии Toggle DDR (Double Data Rate) ...
Исследователи из компании IBM показали новейшую многобитную память, выполненную на базе технологии конфигурации фазового состояния вещества ...
Группа исследователей из University College London разработали 1-ый чип типа ReRAM (Resistive RAM - резистивная память с произвольным доступом) на ...