Samsung начинает производство чипов памяти LPDDR2 по технологии 20-нанометрового класса
Компания Самсунг сказала о начале массового производства первых в отрасли чипов памяти LPDDR2 (low power double-data-rate 2) емкостью 4 Гб, используя производственную технологию 20-нанометрового класса.
Отмечается, новенькая мобильная DRAM память Самсунг, изготавливаемая по технологии 20-нанометрового класса, является более узким, высокоемким и высокопроизводительным мобильным решением на рынке. Благодаря этому она может употребляться в составе ультратонких мобильных устройств. Используя составляющие емкостью 4 Гб, Самсунг может поставлять решения суммарной емкостью 2 ГБ, представляющие из себя стек из 4 отдельных модулей в одной LPDDR2 упаковке. При всем этом, высота такового решения составляет всего 0,8 мм, что на 20% меньше, чем аналогичный стек емкостью 2 ГБ, состоящий из 4 модулей LPDDR2 емкостью 4 Гб, которые делаются по нормам технологии 30-нанометрового класса. Упаковка на базе новых чипов памяти обеспечивает скорость передачи данных 1066 Мб/с, сохраняя прежний уровень энергопотребления.
Ожидается, что уже в скором времени решения LPDDR2, изготавливаемые по технологии 20-нанометрового класса, вытеснят на рынке устройства, основанные на технологии предшествующего поколения, потому что они владеют рядом значимых преимуществ. Во 2-ой половине этого года компания Самсунг хочет существенно прирастить объем выпуска новых чипов. По воззрению аналитиков iSuppli, память LPDDR2 в предстоящем будет быстро набирать популярность посреди производителей мобильных устройств.
Компания Самсунг сказала о начале производства первых в отрасли скоростных чипов мобильной памяти LPDDR3 (low power double data rate 3) емкостью 4 ...
Компания Самсунг сказала о начале массового производства флэш-чипов MLC (3-bit multi-level-cell) NAND емкостью 128 Гб. При этом, эти чипы делаются с ...
В согласовании с утвержденным ранее планом, компания Elpida начала общее создание чипов памяти DRAM по нормам 25-нанометрового технологического ...
Компания Самсунг сказала, что ей первой удалось создать чипы флэш-памяти MLC (multi-level-cell) NAND на базе технологии Toggle DDR (Double Data Rate) ...
Компания Самсунг сказала о начале массового производства первой в отрасли памяти эталона LPDDR3 (low power double-data-rate 3) DRAM емкостью 2 ГБ, ...