Samsung начинает массовое производство памяти LPDDR3 емкостью 2 ГБ
Компания Самсунг сказала о начале массового производства первой в отрасли памяти эталона LPDDR3 (low power double-data-rate 3) DRAM емкостью 2 ГБ, изготавливаемой по нормам технологического процесса 30-нанометрового класса.
Такая память нацелена на применение в составе мобильных устройств последующего поколения.
В новейшей памяти в одной упаковке употребляется четыре отдельных чипа памяти LPDDR3. При всем этом такая упаковка занимает не достаточно места на печатной плате мобильного устройства. Эта память будет нужна в планшетах и телефонах, снаряженных высокопроизводительными микропроцессорами, графической подсистемой и мониторами с высочайшим разрешением для обеспечения высочайшей скорости обмена данными. Новинка позволяет производить передачу данных со скоростью 1600 Мб/с для каждого соединения, что на 50% превосходит скоростные свойства памяти LPDDR2 DRAM. Таким макаром, упаковка LPDDR3 DRAM емкостью 2 ГБ обеспечивает суммарную скорость передачи данных 12,8 ГБ/с, что обеспечивает возможность проигрывания видео в Full HD разрешении в режиме реального времени.
Потому что новенькая память LPDDR3 DRAM емкостью 2 ГБ уже находится в стадии массового производства, производители конечных устройств уже могут использовать ее в собственных продуктах. Ожидается, что уже в скором времени на рынок поступят мобильные устройства, снаряженные новыми скоростными чипами.