Samsung начала массовое производство чипов MLC NAND емкостью 128 Гб по технологии10-нм класса
07.07.2013
Компания Самсунг сказала о начале массового производства флэш-чипов MLC (3-bit multi-level-cell) NAND емкостью 128 Гб. При этом, эти чипы делаются с применением технологического процесса 10-нанометрового класса.
Отмечается, что в новых устройствах реализована высочайшая скорость передачи данных на базе интерфейса toggle DDR 2.0. Она добивается значения 400 Мб/с. При всем этом новинки обеспечивают более высшую в отрасли плотность хранения данных.
Благодаря выпуску чипов памяти NAND емкостью 128 Гб Самсунг хочет прирастить поставки карт памяти емкостью 128 ГБ. Не считая того, компания планирует прирастить объемы выпуска твердотельных накопителей емкостью более 500 ГБ. Также новые чипы будут нужны в ряде электрических устройств.