Исследователи разработали универсальную компьютерную память
Группа исследователей из Института штата Северная Каролина (North Carolina State University) разработали новое устройство, которое обеспечивает значительные достоинства для компьютерной памяти. А именно, упоминается существенное увеличение уровня энергоэффективности для огромных серверных площадок, также ускорение включения компьютера.
Отмечается, что в обычных компьютерных системах применяется два типа памяти: оперативная и неизменная. Оперативка обладает высочайшей производительностью, но не способна хранить информацию при отсутствии энергоснабжения. В то же время неизменная память может сохранять записанные данные даже после полного прекращения энергоснабжения, но ее скорость передачи данных значительно уступает оперативки. Сейчас же исследователи разработали единую универсальную память, которая способна делать операции оперативной и неизменной памяти, обладает присущими им преимуществами и может употребляться в качестве основной памяти компьютера. Такое устройство получило заглавие double floating-gate field effect transistor (полевой транзистор с двойным плавающим затвором). Один из разработчиков — Доктор Паул Франзон (Dr. Paul Franzon) — разъясняет общий принцип деяния технологии последующим образом. В обыкновенной неизменной памяти употребляются полевые транзисторы с одиночным плавающим затвором, которые хранят один бит данных в виде 0 либо 1. При использовании 2-ух плавающих затворов одно устройство способно сохранять один бит инфы в неизменном режиме и/либо в переменном режиме с резвым доступом.
Применение памяти на базе полевых транзисторов с двойным плавающим затвором дозволит включать компьютер практически одномоментно, потому что отпадает необходимость загружать из неизменной памяти в переменную данные. Сразу после включения компьютер будет готов продолжить работу с такого же состояния, на котором она была прекращена в прошлом сеансе. Для больших серверных площадок, таких как у Гугл, новый тип памяти также сулит значимые достоинства. Так, при существующем разделении памяти на оперативную и постоянную подсистема памяти серверной площадки потребляет, примерно, однообразное количество энергии, даже когда наблюдается малый уровень пользовательской активности. Но при использовании новейшей памяти ненадобные блоки могут отключаться а позже стремительно врубаться в случае необходимости.
В текущее время разработчики занимаются исследованием надежности памяти на базе полевых транзисторов с двойным плавающим затвором. Как отмечает Франзон, новинка обладает очень огромным актуальным циклом в оперативном режиме, но он не уточнил подробности. Информация о сроках начала коммерческой эксплуатации данной разработки также не уточняется.
Исследователь Стивен Эллиот (Stephen Elliott) из Кэмбриджского Института (University of Cambridge) сумел существенно сделать лучше характеристики ...
Компания NEC и Институт Тохоку (Tohoku University) сказали, им удалось совместными усилиями создать первую в мире память типа CAM (content ...
Компания Самсунг сказала о достижении значимого прогресса в процессе разработки технологии памяти RRAM (Resistive Random Access Memory - резистивная ...
Исследователи из Института Мичигана (University of Michigan) нашли магнитный эффект света, который позволяет генерировать энергию из солнечного света ...
Как сообщалось ранее, компании Самсунг и Micron хотят вместе продвигать память DRAM HMC (Hybrid Memory Cube). Сейчас же компании IBM и Micron ...