Globalfoundries разработала новую транзисторную архитектуру для изготовления экономичных мобильных чипов
Компания Globalfoundries представила новейшую транзисторную архитектуру FinFET XM (eXtreme Mobility), которая вначале оптимизирована для сотворения мобильных систем-на-чипе. Такие системы-на-чипе станут основой мобильных устройств последующих поколений.
Как докладывает разработчик, эта архитектура базирована на трехмерных FinFET транзисторах, которые обеспечивают более высшую производительность и огромную энергоэффективность готовых решений по сопоставлению с классическими транзисторами. Также сообщается, что для производства мобильных систем-на-чипе на базе новейшей архитектуры планируется использовать 14-нанометровый технологический процесс, который обеспечит дополнительный прирост энергоэффективности. По подготовительным прогнозам, внедрение новейшей производственной технологии производства чипов, включающей трехмерные транзисторы и 14-нанометровый технологический процесс, обеспечит повышение времени автономной работы мобильных устройств на базе новых чипов на 40-60% по сопоставлению с современными чипами, для производства которых используются классические двухмерные планарные транзисторы и производственные процессы 20-нанометровых классов (при иных равных критериях).
Новенькая разработка в текущее время все еще находится в процессе разработки. На одной из фабрик Globalfoundries уже запущено тестовое создание кремниевых чипов на ее базе. Ожидается, что новые устройства станут доступны на рынке уже в будущем году.