Главная Новости Клиенты Заявка Вакансии Сертификаты Статьи Контакты
Ремонт ноутбуков
В последнее время большое распространение среди компаний и частных лиц получили ноутбуки.
Абонентское обслуживание
Как часто происходят моменты, когда из-за сбоев в...
Удаленный ремонт
Порой возникают проблемы с компьютерной или организационной техникой...

Внутренняя память RRAM – компактно и более дешево

12.09.2014

Внутренняя память RRAM – компактно и более дешевоВнутренняя память NAND, которую используют современные смартфоны и планшеты, сегодня, могут достичь максимальной емкости 128 гигабайт, но разрабатываемые технологии обещают существенно большее пространство для хранения. Примером является резистивная память RAM (RRAM), которая уже приближается к первой стадии реализации. Новый метод их изготовления, который был недавно объявлен, позволит им стать более дешевыми и достаточно просторными, чтобы быть реализованными в современной электронике.

Обозначение RRAM заставляет думать, что производитель имеет дело с энергозависимой памятью, такой как известная DRAM, которая используется для системной памяти. Однако, новый чип внутренней памяти является не энергозависимым, а похожим на обычный NAND Flash. Преимуществами этой новой технологии является высокая плотность и скорость передачи, упакованной в маленьком чипе.

Некоторые детали производства

В отличии от внутренней памяти NAND, которая использовала транзисторы для хранения данных, запоминающие устройства RRAM базируются на простых сопротивлениях и хранят данные, изменяя сопротивление диэлектрической проницаемости. Согласно объявлению, сделанному группой исследователей Университета Уильяма Марша Райса (Хьюстон, США), была разработана новая технология производства памяти RRAM, которая позволит упростить процесс производства, а также увеличить плотность сохраненных данных. Вместо дорогих органических и неорганических оксидов, которые были использованы до сих пор, исследователи внедрили способ производства, который является эффективным при комнатной температуре и использует тривиальный оксид кремния и металлические пленки из золота и платины.

Некоторые преимущества нового метода

Новый метод позволяет получить гораздо более высокую плотность памяти, а именно: 9 бит в одном ядре вместо 3-х во внутренней памяти NAND. Кроме того, это обеспечит лучшую скорость передачи, большее количество циклов чтение-запись и более низкое потребление энергии. С помощью новой технологии, производители чипов смогут реализовать RRAM с емкостью до 1 терабайта, самых миниатюрных размеров, которые будут очень привлекательными для производителей электронного оборудования. Поскольку новые “камеры хранения“ очень тонкие, они могут быть сложены в блоках со многими слоями. Первые коммерческие RRAM ожидаются в конце 2014 года.

Яндекс.Метрика