Toshiba и Hynix будут сотрудничать в разработке стандарта памяти MRAM

15.03.2014

Toshiba и Hynix будут сотрудничать в разработке стандарта памяти MRAM В последнее время на рынке памяти будет длиться преобладание DRAM, но некие производители уже думает о последующем шаге развития технологии хранения инфы. Toshiba и Hynix подписали контракт о сотрудничестве, согласно которому компании начнут совместные работы над новым эталоном MRAM (Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory).

MRAM относится к энергонезависимой памяти, которая хранит информацию с помощью магнитных моментов, а не электронных зарядов. Таковой подход более выгоден исходя из убеждений энергоэффективности, по сопоставлению с DRAM, потому новый тип памяти будет прекрасно подходить для использования в мобильных устройствах. Так как скорость также не будет слабенькой сторой MRAM, то с течением времени она может вытеснить DRAM и с десктопов. Вобщем, переход на новейшую технологию займет какое-то время, при этом Toshiba и Hynix отказались именовать определенные сроки.

Разработка MRAM находится в разработке уже около 20 лет но передача спиновых моментов (spin transfer torque technology ) является относительно новым направлением. Многие компании уже пробовали создавать рабочие макеты устройств с новым типом памяти, но пока емкость таких плат памяти существенно ниже, чем у NAND. К примеру компания Infineon представила макет чипа MRAM объемом всего 2 МБайта еще в 2004 году, и с того времени емкости этих устройств повысились только некординально.


Ремонт ноутбуков В последнее время большое распространение среди компаний и частных лиц получили ноутбуки. » подробнее...	Абонентское обслуживание Как часто происходят моменты, когда из-за сбоев в... » подробнее...	Удаленный ремонт Порой возникают проблемы с компьютерной или организационной техникой... » подробнее...