Спецификация памяти Hybrid Memory Cube предусматривает 15-кратный прирост скорости передачи данных по сравнению с DDR3
Организация HMC (Hybrid Memory Cube Consortium) анонсировала доступность финишной версии спецификации памяти Hybrid Memory Cube. В состав консорциума входят около 100 технологических компаний, в том числе Micron и Самсунг.
Напомним, этот тип памяти предугадывает размещение нескольких слоев энергозависимой памяти поверх DRAM контроллера. При всем этом, соединение памяти и контроллера осуществляется на базе технологии VIA (Vertical Interconnect Access). Этот способ предполагает размещение электронных соединений вертикально снутри кремниевой подложки. Такая сборка обладает определенными преимуществами по сопоставлению с обычным подходом формирования подсистемы памяти. К примеру, она обеспечивает прирост высокоскоростных характеристик работы памяти и понижение уровня энергопотребления.
1-ая версия спецификации памяти Hybrid Memory Cube предугадывает внедрение модулей емкостью 2 и 4 ГБ. При всем этом, скорость передачи данных в обоих направлениях заявлена на уровне 160 ГБ/с. Для сопоставления, современные модули оперативки эталона DDR3 обеспечивают скорость передачи данных 11 ГБ/с, а память эталона DDR4 — от 18 ГБ/с до 20 ГБ/с. Таким макаром, память Hybrid Memory Cube обеспечивает, примерно, 15-кратный прирост производительности по сопоставлению с всераспространенными в текущее время решениями. Дополнительно отмечается, что новенькая память позволяет понизить уровень энергопотребления на 70% по сопоставлению с современными модулями оперативки. Это достигается благодаря отказу от использования многих длинноватых соединений отдельных чипов памяти. В текущее время отдельные чипы соединяются благодаря сложной разводке на печатной плате. В памяти Hybrid Memory Cube для этого употребляются вертикальные соединения снутри самих чипов.
В спецификации Hybrid Memory Cube определено два физических интерфейса взаимодействия памяти с системным микропроцессором: недлинной дистанции и ультра-короткой дистанции. Интерфейс недлинной дистанции идентичен с современными технологиями расположения модулей памяти на материнской плате. Он предполагает размещение памяти на удалении 8-10 дюймов (203,2-254,0 мм) от микропроцессора. При всем этом скорость передачи данных для каждого контакта предусмотрена в спектре от 15 Гб/с до 28 Гб/с. Данный интерфейс нацелен на применение в производительных сетевых решениях и позволяет достигнуть высочайшей пропускной возможности подсистемы памяти. Интерфейс ультра-короткой дистанции является энергоэффективным решением. В этом случае расстояние от микропроцессора до памяти может составлять от 1 дюйма (25,4 мм) до 3 дюймов (76,2 мм), а мотивированная скорость передачи данных для каждого контакта составляет 15 Гб/с. Этот интерфейс будет нужен в тех решениях, где приоритетными являются низкое энергопотребление и малогабаритные размеры конечных устройств.
Выпуск памяти Hybrid Memory Cube с интерфейсом недлинной дистанции запланирован на вторую половину этого года, а памяти с интерфейсом ультра-короткой дистанции — на 2014 год.
Как сообщалось ранее, компании Самсунг и Micron хотят вместе продвигать память DRAM HMC (Hybrid Memory Cube). Сейчас же компании IBM и Micron ...
Компания Nokia Siemens Networks разработала новое решение для операторов сотовой связи, которое позволят существенно повысить скорость мобильной ...
В первый раз компания Sony представила новые карты памяти в серии Memory Stick PRO-HG Duo HX еще в 2009 году и с того времени она обновляла их редко. ...
Стало понятно, что организация CompactFlash Association в текущее время работает над внедрением нового прогрессивного эталона карт памяти, ...
Компания Rohm, являющаяся поставщиком электрических компонент, сказала, что ее инженерам удалось создать чип, способный производить ...