OCZ в 2012 году выведет на рынок SSD на основе флэш-чипов TLC
В рамках проведения каждогодней конференции Needham 5th Annual HDD & Memory Conference компания OCZ поделилась некой информацией о собственных планах выпуска новых твердотельных накопителей для потребительского и корпоративного частей рынка.
А именно, сначала будущего года планируется вывести на рынок твердотельные накопители, основанные на флэш-чипах TLC (three bit per cell) NAND. Отмечается, что чипы памяти TLC NAND владеют наименьшей ценой производства по сопоставлению с флэш-чипами MLC (multi-level cell) NAND — примерно, на 30%. Таким макаром, внедрение флэш-чипов TLC NAND дозволит существенно понизить стоимость конечных твердотельных накопителей. Потребительские SSD на базе чипов TLC NAND должны показаться на рынке в первом квартале 2012 года. Малый срок эксплуатации таких устройств составит 4 года, чего полностью довольно для большинства систем потребительского уровня. Не считая того, в 3-ем квартале 2012 года планируется начать внедрение флэш-чипов TLC NAND и в твердотельных накопителях корпоративного класса. Недочеты, присущие чипам TLC NAND, инженеры OCZ предлагают устранять за счет использования оптимизированного механизма корректировки ошибок ECC и технологии Indilinx nDurance 2, оптимизирующей загрузку и износ ячеек памяти, что дозволит прирастить их актуальный цикл в 2 раза.
Также отмечается, что в январе 2012 года будут выпущены новые высокопроизводительные контроллеры Indilinx, созданные для использования в составе потребительских твердотельных накопителей. Они сумеют обслуживать накопители с интерфейсами подключения SATA и PCI-Express. Для их заявлена поддержка чипов флэш-памяти TLC NAND и 70000 операций ввода-вывода за секунду. Во 2-м квартале 2012 года компания OCZ хочет выпустить новое поколение контроллеров для SSD корпоративного класса. В их также будет внедрена поддержка флэш-чипов TLC NAND, интерфейсом подключения SATA и PCI-Express. Но в этом случае дополнительно заявлена поддержка технологии nDurance, что призвано продлить срок службы накопителей, а количество операций ввода-вывода за секунду увеличено до 100000.
Не считая того, в будущем году на рынок поступят новые твердотельные накопители корпоративного класса Intrepid 3, основанные на платформе Indilinx Everest. Их подробные технические свойства пока не сообщаются, понятно только, что емкость таких устройств составит 1 ТБ.
Дополнительно компания OCZ сказала, что в январе будет представлена разработка SSD, владеющая поддержкой спецификации NVM Express. Таким макаром, можно будет создавать твердотельные накопители, обеспечивающие до 3,2 млн операций ввода-вывода за секунду. Также NVM Express обеспечит поддержку флэш-чипов TLC NAND, имеющейся архитектуры OCZ VCA 2.0 и будущей архитектуры OCZ VCA 3.0. Сроки выхода конечных устройств на базе новейшей технологии пока не разглашаются, но они должны поступить на рынок в 2012 году.
Главный исполнительный директор компании OCZ Technology Group заявил, что его компания будет не в состоянии произвести достаточное количество ...
Компания Самсунг сказала, что ей первой удалось создать чипы флэш-памяти MLC (multi-level-cell) NAND на базе технологии Toggle DDR (Double Data Rate) ...
Компании Seagate и DensBits анонсировали заключение стратегического соглашения, согласно критерий которого они будут вместе заниматься разработкой ...
Компании Intel и Micron сказали, что им удалось совместными усилиями создать чип флэш-памяти MLC (multi-level cell) NAND, изготавливаемый по нормам ...
Компания G.Skill обновила модельный ряд твердотельных накопителей. Так, была выпущена серия устройств Phoenix EVO, в какой употребляются флэш-чипы ...