Исследователи создали производительные и экономичные чипы ReRAM на базе оксида кремния

09.11.2013

Группа исследователей из University College London разработали 1-ый чип типа ReRAM (Resistive RAM — резистивная память с произвольным доступом) на базе оксида кремния, который способен работать при обыденных критериях среды. Это обеспечивает возможность сотворения сверх-скоростной памяти.

Память ReRAM базирована на изменении сопротивления материала (обычно, оксида металла) в итоге воздействия напряжения. При всем этом, состояние материала остается постоянным даже после прекращения подачи энергии. Таким макаром, память ReRAM является энергонезависимой. По сопоставлению с современной энергонезависимой памятью на базе флэш-чипов память ReRAM обладает рядом значимых преимуществ. Посреди их выделяются более высочайшая плотность хранения данных, наименьшее энергопотребление, более малогабаритные размеры чипов. В то же время память ReRAM способна обеспечить более высшую производительность и долговечность.

Исследователям из University College London удалось достигнуть существенно прогресса в освоении памяти ReRAM благодаря внедрению новейшей структуры чипов на базе оксида кремния. В итоге, исследователи достигнули значимого прироста эффективности конфигурации сопротивления. В применяемом материале атомы упорядочены во куски кремния в оксиде кремния, владея другим значением сопротивления. Наличие либо отсутствие этих фрагментов и соответствует переключению от 1-го состояния к другому. Броско, что данная разработка может эксплуатироваться при обыденных окружающих критериях, а не в вакууме, как прошлые решения ReRAM на базе оксида кремния. Не считая того, новенькая разработка обеспечивает возможность сотворения более доступных и долговременных чипов памяти. Очередной особенностью новейшей разработки является возможность сотворения прозрачных чипов памяти, что позволяет использовать их в сенсорных мониторах и мобильных устройствах.

По словам 1-го из разработчиков — Доктора Тони Кеньен (Tony Kenyon) — новые чипы памяти для собственной работы требуют только тысячные толики той энергии, которую потребляют современные чипы флэш-памяти. При всем этом они обеспечивают, примерно, 100-кратный прирост производительности по сопоставлению с флэш-памятью.

Исследователи уже заполнили патентную заявку на свою разработку. Также сообщается, что в текущее время ведутся переговоры с разными компаниями, выпускающими полупроводниковую продукцию. Но сроки возникновения на рынке коммерческих образцов памяти ReRAM пока не именуются.


Ремонт ноутбуков В последнее время большое распространение среди компаний и частных лиц получили ноутбуки. » подробнее...	Абонентское обслуживание Как часто происходят моменты, когда из-за сбоев в... » подробнее...	Удаленный ремонт Порой возникают проблемы с компьютерной или организационной техникой... » подробнее...