Intel и Micron создали первый в мире флэш-чип MLC NAND емкостью 128 Гб
Компании Intel и Micron сказали о разработке первой в мире флэш-памяти NAND с многоуровневой структурой ячеек (multi level cell) емкостью 128 Гб, сделанной по нормам 20-нанометрового технологического процесса.
По заверениям разработчиков, новый модуль флэш-памяти обладает в 2 раза увеличенной емкостью и производительностью, чем имеющиеся решения. Он требованиям спецификации ONFI 3.0 и способен достигать скорости 333 МТ/с. Таким макаром, на его базе можно создавать более действенные и дешевенькие твердотельные накопители для телефонов, планшетов и промышленных систем хранения данных. А именно, отмечается, что разработанный модуль памяти MLC NAND емкостью 128 Гб позволяет сделать чип размером с ноготь емкостью 1 Тб (128 ГБ), используя всего 8 таких модулей.
Стороны говорят, что ключом к успеху в области 20-нанометрового технологического процесса стала инноваторская структура ячеек. В данной NAND-памяти в первый раз употребляется планарная структура, которая позволяет преодолеть задачи, сопутствующие более сложным технологиям производства, и обеспечить производительность и надежность, присущие предшествующему поколению товаров. Планарная структура удачно решает трудности масштабирования стандартной ячейки NAND с плавающим затвором методом интеграции технологии Hi-K/Metal Gate Stack.
К поставкам тестовых образцов модулей емкостью 128 Гб планируется приступить в январе 2012 года, а в первой половине 2012 года — к их серийному производству. Не считая того, стороны объявили о начале массового производства NAND-памяти емкостью 64 Гб, которая также делается по нормам 20-нанометрового технологического процесса.