Главная Новости Клиенты Заявка Вакансии Сертификаты Статьи Контакты
Ремонт ноутбуков
В последнее время большое распространение среди компаний и частных лиц получили ноутбуки.
Абонентское обслуживание
Как часто происходят моменты, когда из-за сбоев в...
Удаленный ремонт
Порой возникают проблемы с компьютерной или организационной техникой...

Fujitsu и SuVolta снизили напряжение питания блоков SRAM до 0,425 В

07.01.2014

Компании Fujitsu и SuVolta сказали о проведении удачной демонстрации функционирования блоков ультра-экономичной памяти SRAM (static random access memory). Отмечается, что в итоге объединения CMOS платформы SuVolta PowerShrink, технологии SuVolta DDC (Deeply Depleted Channel) и производственной технологии Fujitsu удалось обеспечить размеренную работу памяти SRAM при напряжении питания всего 0,425 В. Это, примерно, вдвое меньше, чем имеющиеся современные решения.

Fujitsu и SuVolta снизили напряжение питания блоков SRAM до 0,425 В

Понижение уровня энергопотребления чипами дозволит создавать более экономные устройства. Это могут быть как портативные электрические устройства, так и серверные системы, также сетевое оборудование. Каждый класс устройств получит значимые достоинства и улучшения функциональности в итоге понижения уровня употребления энергии из отдельных компонент. Для мобильных устройств это может обеспечить повышение времени автономной работы от 1-го заряда аккума, а в серверных системах это приведет к понижению уровня тепловыделения, а как следует — и к понижению издержек на сервис таких систем.

Отмечается, что применяемая разработка понижения рабочего напряжения питания памяти SRAM достигается при использовании имеющейся инфраструктуры, включающей современные планировки дизайна SoC (system-on-chip), имеющиеся схемы дизайна и имеющиеся инструменты производства.

Яндекс.Метрика