Everspin начала выпуск первых чипов памяти ST-MRAM
Компания Everspin анонсировала выпуск первых в мире чипов памяти Spin-Torque Magnetoresistive RAM (ST-MRAM), которые позиционируются в качестве кандидатуры подсистемам энергонезависимой памяти DRAM.
Новый тип памяти обеспечивает довольно высшую производительность. По заверениям разработчиков, память ST-MRAM обладает в 500 раз более высочайшими высокоскоростными чертами, чем флэш-память NAND. При всем этом ее долговечность сравнима с памятью DRAM. Память ST-MRAM рассматривается отраслевыми аналитиками не как подмена флэш-памяти NAND, применяемой в современных твердотельных накопителях, как дополняющее решение. Сами разработчики из компании Everspin утверждают, что чипы ST-MRAM могут употребляться в качестве кэш-буфера в твердотельных накопителях и других системах хранения данных.
На текущий момент компания Everspin освоила создание чипов памяти ST-MRAM емкостью 64 Мб. Но уже в скором времени планируется прирастить емкость 1-го чипа до значения 1 Гб и сразу повысить скоростные свойства их работы. 1-ые эталоны чипов емкостью 64 Мб уже доступны для заказа заинтересованным производителям компьютерной техники. Эти чипы выполнены в упаковке WBGA и функционально совместимы со спецификацией интерфейса DDR3 промышленного эталона JEDEC. Устройства обеспечивают до 1,6 миллиардов передач за секунду для каждого соединения ввода-вывода. Пропускная способность составляет 3,2 ГБ/с при задержках наносекундного уровня. Количество операций ввода-вывода за секунду заявлено на уровне 400 тыс. По словам представителей Everspin, цена памяти ST-MRAM, примерно, в 50 раз выше цены памяти NAND, но идет речь не о серийном продукте, что и обуславливает высшую цена производства. Ожидается, что цена 1 ГБ памяти ST-MRAM достигнет сравнимой цены с 1 ГБ памяти DRAM в протяжении 5 лет.
В последнее время на рынке памяти будет длиться преобладание DRAM, но некие производители уже думает о последующем шаге развития технологии хранения ...
В согласовании с утвержденным ранее планом, компания Elpida начала общее создание чипов памяти DRAM по нормам 25-нанометрового технологического ...
Главный исполнительный директор компании OCZ Technology Group заявил, что его компания будет не в состоянии произвести достаточное количество ...
Компания Самсунг сказала о начале массового производства флэш-чипов MLC (3-bit multi-level-cell) NAND емкостью 128 Гб. При этом, эти чипы делаются с ...
Компания Самсунг сказала, что ей первой удалось создать чипы флэш-памяти MLC (multi-level-cell) NAND на базе технологии Toggle DDR (Double Data Rate) ...