Corsair будет оснащать некоторые SSD 25-нанометровыми флэш-чипами NAND
В отличие от OCZ компания Corsair не торопится переводить все свои твердотельные накопители на новые флэш-чипы NAND, выполненные по нормам 25 нм техпроцесса. Сейчас она анонсировала только две модели в линейке Force, которые оснащаются такими микросхемами: F80A и F115. Необходимо отметить, что компания продолжит продавать SSD-накопители на базе 34 нм чипов флэш-памяти, а чтоб избежать неурядицы она ввела надлежащие обозначения в заглавии устройств.
А именно, накопители с новейшей флэш-памятью и схожей с 34 нм моделями емкостью будут иметь буковку «А» в конце наименования, как в случае с F80A. Что касается F115 — то в заглавии этого накопителя отражена его емкость — 115 ГБ. Аналогичный SSD, построенный с внедрением 34 нм флэш-чипов NAND, имеет объем 120 ГБ и именуется F120. Сниженная емкость неких новых моделей обоснована уменьшенным количеством циклов записи в одну ячейку памяти в 25 нм чипах, что просит роста объема запасной зоны, которая употребляются контроллером для уменьшения износа накопителя.
Не считая того, спецы Corsair нашли маленькое понижение производительности в 25 нм микросхемах. В синтетическом тесте ATTO оно составило 3-4%. Это мало и в ежедневной работе SSD юзер не увидит разницу в скорости в сопоставлении с 34 нм моделями, но компания не стала скрывать данного факта. Главный же плюс новых накопителей заключается в сниженной стоимости в сопоставлении с аналогами на базе 34-нанометровой флэш-памяти. 80-гигабайтная и 115-гигабайтная модели F80A и F115 выйдут на рынок до конца текущего месяца по стоимости $170 и $215 соответственно. Для сопоставления, рекомендованная цена F80 и F120 составляет $200 и $250. Как и предшественники, новинки оснащаются контроллером SandForce SF-1200 и интерфейсом SATA 3.0 Gbps.
Главный исполнительный директор компании OCZ Technology Group заявил, что его компания будет не в состоянии произвести достаточное количество ...
Компания Самсунг сказала, что ей первой удалось создать чипы флэш-памяти MLC (multi-level-cell) NAND на базе технологии Toggle DDR (Double Data Rate) ...
Компания Toshiba разработала новый чип флэш-памяти NAND, который предназначен для использования в качестве встроенного хранилища данных в телефонах и ...
Компания OCZ сказала, что она первой посреди производителей твердотельных накопителей вполне перебежала на внедрение в производственном процессе ...
Компании Intel и Micron сказали о разработке первой в мире флэш-памяти NAND с многоуровневой структурой ячеек (multi level cell) емкостью 128 Гб, ...